9月20日，长鑫存储在2026世界制造业大会上正式宣布第五代DRAM技术平台（以下简称“G5平台”）实现量产 ，同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。
上证报记者在现场了解到 ，该平台工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点，是长鑫存储在高端存储技术路线上的里程碑式突破 ，将为全球存储产业提供更具创新性 、更具供应链韧性的解决方案选取 。
据介绍 ，G5平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破：依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球比较好 的内存量产平台制程；通过变革工艺流程 、采用新材料，存储电容深宽比达45:1；开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺 ，成功将G5平台核心功能区高度缩小到6762纳米 。
研发过程中 ，长鑫存储在现有工艺模块的基础上，创造了独特的数字孪生系统 ，贯穿包括设计、开发 、制造 、维护等全生命周期的产品研发过程 ，在这一虚拟研发线中，搭建先进DRAM工艺模型 ，加速研发进程。同时 ，在界面工程、鞍形鳍式结构、低k间隔层位线等核心工艺上实现突破 。
据介绍，G5微缩工艺的突破推动存储密度实现跨越式提升：每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50% ，在产品能效 、成本控制上均具备显著优势 。
长鑫存储LPDDR5X芯片及搭载该芯片的全球首款AI智能体手机
本次大会同步展出两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品 ，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50% ，分别采用496Ball 、245Ball封装规格 ，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求，近来 均已进入规模量产阶段。
长鑫存储表示，未来将持续面向全球市场需求推进技术迭代 ，推出更高性能 、更高可靠性的存储产品 ，为全球数字产业发展提供坚实的底层存储支撑。
（文章来源：上海证券报）
